現代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成爲相當大的挑戰。與 HTRB高溫偏置試驗一 一對應，AQG324 該規定了動態偏置試驗，即動態高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）。
設備簡介
KC-3105 測試系統中可同時完成HTRB和DHTRB測試，整體架構模塊化，通訊協議、通訊接口等采用統一標准，便于後期擴展和維護。該系統集成度高、應用覆盖面廣，系統采用軟、硬件一體化設計且功能豐富，在保證系統穩定運行的同時，可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。
系統優勢
高溫高壓高精度：dv/dt>50v/ns、頻率50KHz；
高精度測試：電流分辨率10pA，電壓分辨率100nV；
多參數測量：Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、Igss漏電流、Idss漏電流、溫度；
多通道測試：高效率80通道測試，每個通道獨立控制，故障斷開及時，互不影響；
軟件功能
功能完備並有可擴展性,基于Windows平台開發,配備工控機系統；
數據管理功能完整,具有操作界面與上位機,可實現數據自動保存與生成測試報告具有漏源極漏電流、溫度等檢測功能；
可對每一個測試器件獨立控制,包含開始、暫停、繼續、終止操作功能；
保存與記錄試驗數據,過沖電壓、開關頻率、漏電流、溫度、故障信號、工作時長、漏源電壓變化率等。
參數測試
1、Vgsth測試條件： G，D和S之間加管子規定電流，測試G和S之間的電壓值；電壓值就是閥值電壓。
2、VSD測試條件： G和S之間加反向電壓,D和S之間加反向管子規定電流，測試D和S之間的電壓值；電壓值就是反向二極管導通電壓。
3、RDS測試條件： G和S之間加正向電壓,D和S之間加正向管子規定電流，測試D和S之前的電壓值；內阻 Rds(mΩ)=Vds / Ids (DS之間電壓/DS流過的電流)。
4、Igss測試條件： G和S之間加管子規定電壓，D和S接0V，測試出流過G極的電流就是Igss漏電流；
5、Idss測試條件： D和S之間加管子規定電壓，G和S接0V，測試出流過D極的電流就是Idss漏電流；
老化測試
一、DRB 動態反偏
1.試驗時長time: ≥1000h
2.試驗溫度temp: 25℃
3.漏源電壓VDS: ≥0.8Vdsmax
dVDS/dt 取 50V/ns，f≥25kHz;
4.柵源電壓VGS：0V or VGSmin
二、DGB 動態柵極反偏
1.試驗時長time：爲10^11次循環
2.試驗溫度temp：25℃
3.漏源電壓VDS：0V
4.柵極電壓VGS：VGS=VGSmax至VGS min，dVGS/dt 取 1V/ns，f≥50kHz
三、HTRB 高溫反偏
1.試驗時長time：≥1000h
2.試驗溫度temp：最高結溫
3.漏源電壓VDS：≥0.8Vdsmax
4.柵源電壓VGS：0V or VGSmin
四、HTGB 高溫柵極反偏
1.試驗時長：≥1000h
2.試驗溫度：最高結溫
3.VDS漏源電壓：0V
4.柵極電壓：VGS=VGSmax(正柵極電壓測量50%DUT) VGS=VGSmin(負柵極電壓測量50%DUT)
保護功能
上電自測:可實現器件防呆,電路狀態；
保護功能:對于帶電、高溫開箱、過溫、測試電參數異常、驅動電路故障等可實現保護功能；
故障隔離:可實現組間的獨立性控制,出現故障斷開及時,不影響其他器件工作。
系統構成圖
參考標准
AQG 324 機動車輛電力電子轉換器單元用功率模塊的驗證
AEC Q101車用分立半導體元器件的基于失效機理的應力測試驗證
軟件界面
技術參數
